河南蔡司三坐标蔡司场发射扫描电镜获取芯片表面精细电极结构
* 来源: * 作者: admin * 发表时间: 2023-01-22 20:32:00 * 浏览: 39
河南蔡司三坐标蔡司场发射扫描电镜获取芯片表面精细电极结构
在开盖获得两颗GaN晶体管裸芯后，利用蔡司场发射扫描电子显微镜对两颗芯片的表面形貌进行了更细致的显微分析。
场发射扫描电镜
对于增强型和耗尽型GaN晶体管，其裸芯尺寸分别为3870 x 1590 μm2和2650 x 1720 μm2。初步量测后获得两个器件的栅极间距分别为61 μm和76 μm，差距并不大，但其金属电极呈现出完全不同的形貌。这需要我们继续利用双束电镜垂直电极方向剖开断面，进一步观察分析外延方向上外延层和金属电极等的异同。
▲ 场发射扫描电镜下裸芯表面金属电极的形貌对比（上：增强型，下：耗尽型）
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